A-si h sluoksnių gamyba karštos vielos metodu

Fizikos referatai
Referatas
 5
Microsoft Word 69 KB
7 puslapiai

Turinys

I. Įvadas…………………………………………………………………………3

II. Literatūros apžvalga…………………………………………………………4

1. Amorfiniai puslaidininkiai……………………………………………4

2. H – įtaka a-Si savybėms………………………………………………4

3. Dydžiai, apibūdinantys kokybines sluoksnių savybes………………….5

4. A-Si:H sluoksnių gamybos technologijos……………………………6

4.1 Dulkinimo metodas……………………………………………7

4.2 Cheminio nusodinimo metodai………………………………7

4.2.1 Rusenantis išlydis…………………………………….7

4.2.2 Karštos vielos metodas……………………………….9

5. A-Si:H formavimo įrenginiai………………………………………….11

Išvados………………………………………………………………………………….14

III. Literatūra…………………………………………………………………….15

Įvadas

Puslaidininkinės amorfinės medžiagos šiuo metu plačiai naudojamos pramonėje,
tai ir fotojautrių sluoksnių kopijavimo aparatūroje gamybai, saulės elementams, plonasluoksniams tranzistoriams, naudojamiems skystų kristalų ekranuose, įvairiems vaizdo priėmėjams gaminti.
Viena iš platesnių amorfinių medžiagų pritaikymo sričių yra saulės elementų gamyba. Saulės elementas – tai fotoelektrinis prietaisas, skirtas saulės energiją paversti į elektrinę. Saulės elementų panaudojimas patrauklus tuo, kad tai yra praktiškai neišsenkantis energijos šaltinis.
Paskutiniu metu tiriami a-Si:H arba cSi:H, kurie gali patenkinti keliamus reikalavimus. Vandenilis įvedamas, kad išvalytų draustinių juostų tarpą nuo lokalinių būsenų, kurios blogina sluoksnių fotoelektrines savybes. Sluoksniai, suformuoti iš paminėtų medžiagų, pasižymi geromis fotoelektrinėmis savybėmis. Sluoksnių gamybos technologijų yra keletas, iš kurių šiuo metu perspektyviausia - panaudojant karštą vielą, kuri sąlygoja kokybiškesnių sluoksnių gavimą, supaprastina technologinę įrangą lyginant su kitais gamybos būdais. Pavyzdžiui, nereikia naudoti aukšto dažnio elektrinio lauko kaip rusenančio išlydžio metode.
Mano darbo tikslas - susipažinti su a-Si:H gamybos technologijomis, atkreipiant dėmesį į karštos vielos metodą, kuris mūsuose dar nenagrinėtas, bei, remiantis šiuo metodu, pagaminti a-Si:H sluoksnių pavyzdžių. Taip pat nustatyti technologinius parametrus, kuriems esant...